Статьи
Фотоэлементы на основе тонких пленок полупроводников
Рабочим элементом этих ячеек являются тонкие пленки полупроводников как неорганических, так и органических. Фотоэлементы на основе аморфного кремния Тонкие пленки аморфного кремния наиболее часто получают методом осаждения из паровой фазы с использованием плазмы (PECVD). В качестве источника кремния используют силан или его производные. Температура осаждения 250-400оС, что позволяет использовать в Читать дальше…